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電調全油門溫度反而低?? 有人這麼說, 發出來給大家參考參考

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楼主
发表于 2013-9-12 22:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
看了下台灣論壇的帖子, 說沒有AFW的電調全油門運行溫度反而低, 不是很看得懂, 擺上來給大家看看. 下面是原文.


看來YEP, 花牌的, 都是YGE 的克隆品, 友站有人分享了helifreak上面的高壓電變分析評比.
http://www.helifreak.com/showthread.php?t=443322
這可以解釋為什麼花牌電變不會燙.
也回答了一直以來在我心中的疑問. ( 為什麼電變在油門半開時會比油門全開時來的燙)
也就是說, 除了有支持AFW 的德系電變, 其他的電變, 在idle up時最好是開100%來用, 開在70-80%在用的人要小心, 因為不支持AFW 的電變(大部分都不支持, 包含卡牌), 會有residual current 倒灌MOS 造成溫度升高的情況."


懂得的人請給大家講解一下~
file:///C:\Users\Administrator\AppData\Roaming\Tencent\Users\1317684193\QQ\WinTemp\RichOle\OQ6XM27Y8OYE]JX]JA4U2L0.jpg


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QQ图片20130912224945.jpg

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沙发
发表于 2013-9-12 23:54 | 只看该作者
不懂啊,楼下解答, 全油门的时候转速下来没啊。 如果下来了 是不是温度保护了。
3
发表于 2013-9-13 00:15 | 只看该作者
这个好理解的。。
4
发表于 2013-9-13 00:47 | 只看该作者
对有刷电调来讲,肯定是对的。无刷比较特殊,不做判断。
5
发表于 2013-9-13 07:50 | 只看该作者
本帖最后由 linuxfans 于 2013-9-13 07:53 编辑

那个英文文章里面已经讲得比较清楚了
比如肖特基二极管的开启电压0.4V,20A,就会有8W左右的热量消耗在二极管上
如果采用FET,导通电阻0.01R,那大概是4W
不过这都取决于二极管的阈值电压和FET的导通电阻,可参考下图
http://en.wikipedia***/wiki/File:FET_Diode_Comparison_Chart.JPG
***是 dot org
不知道怎么回事,一保存就这样





6
发表于 2013-9-26 17:10 | 只看该作者
全油門电压全在电机上 半油門有一半在电调上
7
 楼主| 发表于 2013-9-26 20:17 | 只看该作者
邬才军 发表于 2013-9-26 11:10
全油門电压全在电机上 半油門有一半在电调上

這個答案比較直觀, 頂~
8
发表于 2013-9-26 21:49 | 只看该作者
看不懂
9
发表于 2013-9-27 15:48 | 只看该作者
全油門时 电调导通电阻很小,小油門时电调导通电阻很大,就像一个开关,开关很好的时候导通电阻很小,基本不发热,有问题的时候导通电阻很大,就要发热,甚至烧毁,这样说明白了吗?
10
 楼主| 发表于 2013-9-27 20:50 | 只看该作者
邬才军 发表于 2013-9-27 09:48
全油門时 电调导通电阻很小,小油門时电调导通电阻很大,就像一个开关,开关很好的时候导通电阻很小,基本不 ...

這個更直觀, 完全明白~

就像同一個回路裏串聯不同阻值的電阻, 但是走同一樣的電流一樣~

謝謝.~

11
发表于 2013-9-30 16:32 | 只看该作者
这事是真的。不过并不是电阻的原因,而是 占空比 和 导通/关断时间:

占空比:
油门全开时,占空比100%,MOSFET一路全开,不再做开关动作,因而在开/关过程中损耗的能量没了。温度自然低。
这是对有刷电调而言的。而无刷电调,因为要做换相,MOSFET仍有开关动作,因而满油门温度低的效应不如有刷电调那么明显。雪上加霜的是,满油门时转速最高,因而换相动作跟频繁。。。

至于为什么在开/关过程中有很大损耗,那是因为:

导通/关断时间:
假设一颗理想的MOSFET,导通时电阻为0,压降为0(因为电阻是0),电流是工作电流;关断时电阻∞,压降为电源电压,电流为零(因为关断了)。
导通时,MOSFET损耗功率 = U*I = 0*I=0
关断时,MOSFET损耗功率 = U*I = U*0=0
即:导通和关断工况下,都不消耗功率。
但是!悲催的来了,我们生活在现实世界,MOSFET作为开关器件,它的导通/关断不可能瞬间完成,大功率MOSFET通常都要几个到几十个μs来完成这一过程。此时上面的两个“0”都不再为零,于是乎,没别的,发热呗。




12
 楼主| 发表于 2013-10-1 00:10 | 只看该作者
Himalaya 发表于 2013-9-30 10:32
这事是真的。不过并不是电阻的原因,而是 占空比 和 导通/关断时间:

占空比:

那, 這麼說的話, 是否選用的MOSFET品質越好, 同樣情況下發熱越低?

13
发表于 2013-10-4 23:41 | 只看该作者
学习了。高深啊!
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