问个电调功率的问题！

xiaofeng1809 · 发表于 2011-8-28 14:09

小功率的电调和大功率的电调的差别是不是只在功率板上面？
就是小电调改大功率的时候去掉原来的mos管，飞线到一个自制的大功率mos做的功率板上。这个是否可以，当然体积问题不在考虑之内

xiaofeng1809 · 发表于 2011-10-7 13:57

深刻的学习了，原来还有这么多的理论呢！

风木雨林 · 发表于 2011-10-2 21:01

那你给我分析下,Cg是什么，在多大量级，并联一堆之后又是什么量级?MOSFET driver是靠什么指标分出档次的?谢谢!

直600 · 发表于 2011-10-1 00:11

以后要多多讨论此问题，:em26:

直600 · 发表于 2011-10-1 00:07

不错，解释的清楚

毛二毛的哥哥 · 发表于 2011-9-30 22:04

学习

cgmodel1 · 发表于 2011-9-30 10:16

一般的Vgs在10伏就可以也有更高一些的。电调的电池适用数范围不大的话，简单升压方便些，不然的话专用芯片驱动。简单情况下3极管驱动2个N管肯定没问题，3个专用的驱动芯片比较贵，增加了体积和成本。自己扩的话还无法跟原电路结合，不合理。除非是自己设计的，比较容易结合。还是走高电压小电流的路好些，对电池有利。
每相如果有2个N管并联，6毫欧的3803之类N管，上下臂导通电阻为6毫欧，50A的电流理论上电调的压降才0.3伏，电机获得的有效电压损失就小，这个也是电调档次区分之一。再罗嗦一下，电机线圈获得的有效电压是电池组的标称电压－I×（电池组内阻＋导线电阻＋电调导通内阻＋电机线圈电阻）。相同情况下有效电压高，功率也大。内阻小的电池放电倍数大，导线要短粗，电调压降小些，暴力电机的线圈都是小匝数。

飞跃地球 · 发表于 2011-9-29 19:24

:em04:

shunnian · 发表于 2011-9-29 16:38

太深奥了

dongfang · 发表于 2011-9-29 16:24

先学习了，我的理解，是不是说，电调要扩流：

1.提高MOS的控制电压
2.提高MOS的控制电流

那么，“专门的驱动芯片”应该是最好的选择了。

cgmodel1 · 发表于 2011-9-29 14:47

MOS管完全导通前，G极的电容充电是需要时间的，之后mos才能完全打开。电调mos管的开关频率还是比较高的，8K，16K，32K。充电时间就不可忽略。因此需要一定的驱动电流，缩短充电时间，使管子可以在要求的频率下完全打开。不完全打开时mos管的导通电阻比完全打开大很多，一般的，手册上基本都有不同的G栅电压对应的值的图表，Vgs4。5伏或10伏之类。5毫欧内阻的管子，30A电流，单MOS管，管子本身功耗就会有30×30×5÷1000＝4。5W，再结合管子的其他参数，可计算出功耗导致的结温升，管壳温升，再来考虑是否需要额外的散热片，手册上都有参数，一般人都忽略了的。所以尽可能需要完全导通管子，一定的电流时必须的，简单的3极管驱动，保护了cpu，对缩短开关时间也有帮助。NP结合是简化了驱动部分，P管低内阻的不好弄。全N管的，上臂的G电压在下臂导通时需要至少比电机电压高5伏才算能工作，5伏是无法高频率下完全导通的，会造成管子发热烧毁。因此需要升压电路，或者专门的驱动芯片。
单纯的扩mos管，不太管用，只要原电调有电流保护，这招就不过关啦。2N－3P的形态，3P并联减小导通电阻，可以达到2N的水平，管子并联，没个管子的功耗可以减小，甚至去除散热片。
简单的升压电路，驱动2个大电流的N管，基本可以。50A的廉价电调，这样设计。

Himalaya · 发表于 2011-9-29 14:40

上图的单位是 pF，被论坛水印盖住了。

Himalaya · 发表于 2011-9-29 14:37

Cg = Gate Capacitance，很多datasheet 里写作 Ci，即 Input Capacitance。
看看一颗典型的ESC用的 Power MOSFET 的Cg有多大。然后再想想并联6个（比如我的好盈ESC）之后有多大。然后再想想ESC的开关速度（on/off time，不是频率）。然后继续想：让那么大的电容在那么短的时间里迅速改变电压，需要什么？:loveliness::em00:

[ 本帖最后由 Himalaya 于 2011-9-29 14:46 编辑 ]

hydefee · 发表于 2011-9-29 12:47

MOSFET的很大的一个好处就是电压驱动，而不是电流驱动。所以不存在驱动不了得问题。随便一个AVR单片机的输出直接驱动一打MOS是不成问题的。至于LS说并联一堆后无法驱动，这个就有可能了，你这一堆也许是几K个或者几KK个。
但是MOS用在电调上，那就得考虑Qg了，因为这个与MOS开关的响应时间息息相关，但是一般电调不可能让单片机直接驱动MOS的Gate，是都有驱动电路的，每个臂放几个MOS管不是问题。
由于板子大小的限制，所以要想改成大电流的，自己可以扩到另一个板子上去，考虑好散热，可以扩到很大。如果电调带过流保护，那你要按比例缩小检测电路的电阻，或者直接弄个粗点得线吧检测电阻短路掉，相当于不要这个功能。

至于LS说的Cg，有点不明白是MOSFET的什么参数。Qg一般和Ron差不多重要，就这个Cg没听说过。

Himalaya · 发表于 2011-9-28 15:03

呵呵，建议你再研究研究吧。:em15: 比如先搞懂Cg是什么，在多大量级，并联一堆之后又是什么量级，MOSFET driver是靠什么指标分出档次的.........:em17:

如果开关频率在几十Hz以下，你或许是对的。:loveliness:

风木雨林 · 发表于 2011-9-27 23:50

楼上搞错了，MOS管是电压驱动的，跟驱动电流无关，LZ的想法完全可以的。不过。反馈电路的参数要重新取值了。

Himalaya · 发表于 2011-8-30 13:14

是的。大功率MOSFET 的 Cg都很巨大，一堆FET并联后更大，要驱动需要相当大的电流。

还有高电压问题。低价小功率电调一般用几只小三极管搭出来MOSFET driver，上高电压之后通常都要求专用的IC。

另外还有 N+P 和 N+N 的上下臂结构，弄清楚再动手。

luft · 发表于 2011-8-30 12:20

可以,但有个范围,太大的话,驱动管就驱动不了了

77498864 · 发表于 2011-8-30 00:40

:em20:

问个电调功率的问题！

主题

回复 6楼 Himalaya 的帖子

回复 7楼 hydefee 的帖子

回复地板风木雨林的帖子

回复藤椅 luft 的帖子

【站内推荐】 /1

问个电调功率的问题！

主题

回复 6楼 Himalaya 的帖子

回复 7楼 hydefee 的帖子

回复 地板 风木雨林 的帖子

回复 藤椅 luft 的帖子

【站内推荐】 /1

回复地板风木雨林的帖子

回复藤椅 luft 的帖子