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楼主: happyme
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关于无刷电调的电流检测问题。

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发表于 2006-7-10 14:53 | 只看该作者

确实是通过MOS来检测电流的

从ASSAN无刷电子调速器的板子来看,它确实是通过MOS来检测电流的。

检测MOS管的内阻压降虽然精度不高(主要是受MOS驱动栅压的影响),但是完成过流保护应该是绰绰有余了。

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发表于 2006-7-10 14:57 | 只看该作者

不可能用霍尔传感器

不可能用霍尔传感器,因为体积大,成本高。

用电阻的话,除非控制器需要进行电流闭环控制,否则成本也不低。检测用的毫欧级的电阻对精度以及温度稳定性要求很高,是很费银子的。
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 楼主| 发表于 2006-7-11 09:03 | 只看该作者
检测MOS管压降的原理究竟是什么呢?
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发表于 2006-7-11 10:55 | 只看该作者
能不能用电机位置检测的霍尔器件来检测电流啊?这种传感器很小的,把它放到电流的主回路上面。
   
检测MOSFET的压降的,我见过。 可以检测上桥臂MOSFET,它一般没有加载PWM。

回上楼: 就是MOSFET像一个开关,导通就和导线一样,当然也有内阻。当大电流流过时,此内阻会有一个压降,就是检测这个压降,间接得到电流。
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 楼主| 发表于 2006-7-11 19:44 | 只看该作者
为什么上桥臂一般不加PWM?
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发表于 2006-7-13 16:42 | 只看该作者
回24楼:一般上桥臂用的是P管,直接用一个三极管反向器来驱动,为了降低功耗或提高驱动效率,三极管负载电阻一般较大(至少几百欧),也就是说上桥臂的驱动器内阻较大,对于给定的MOS栅电容,一般要好几个微秒甚至更长的时间才能实现开关切换。这就已经决定了上管无法工作在很高的频率下。

下管的驱动(一般是单片机的I/O)能力就强多了,内阻约几十欧,可以实现较高的开关频率,所以一般是下管加PWM。
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发表于 2006-7-13 17:06 | 只看该作者

回23楼:

不能用电机位置检测的霍尔器件来检测电流。

因为电机位置检测的霍尔器件是开关型霍尔传感器,只有两种输出状态,主要用于磁位置检测。

检测电流的霍尔器件是线性霍尔传感器,一般还需要配备运放及其它外围电路来实现闭环电流检测。
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 楼主| 发表于 2006-7-14 11:57 | 只看该作者
下管加了PWM之后,对于检测转子位置有没有影响?是不是也要采取必要的更改措施?
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