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狐狸 在 2004-11-22 10:29 发表:
:em23:不好意思,耽搁久了,昨天才回来。
关于功率管的型号,可以到网上查询:www.irf.com.cn,有关模型用的功率fet,他的适用型号有:12vNMOS,12VPMOS,20VNMOS,20VPMOS等,另外要注意,他的长时间通电电流不要依 ...
无刷电调用的MOS FET尽量采用以下规格的:
1.SO-8 8引脚贴片封装。这是应用最广的电调用的FET。体积较小,内阻最小可以做到4毫欧左右,散热一般,实际使用的连续工作电流一般在5-8A(密闭、缺少散热、多片封装的极端场合)。如果对价格承受力较强,可以考虑Vishay的PowerPAK SO-8封装或者IR的DirectFET封装。后两者的N沟管子内阻可以做到2毫欧/片,且散热极佳!但国内一般只能买到原装货,价格在0.8美金/片以上。数量一般是2k-3k以上
2.小容量电调用N、P沟FET搭配使用。20-30A以上的大容量电调全部用N沟FET。然后用专用的半桥驱动IC来驱动高端的N沟管子。因为N沟的管子的内阻可以低至2-4毫欧,而最好的P沟(比如IR的IRF7425)管子,内阻在8毫欧以上。大电流下1毫欧的内阻都可以带来数W的耗散功率,因为大容量电调尽量避免使用P沟FET。半桥驱动电路增加的额外印刷板面积都是值得的。
3.FET的耐压在30V最好,内阻越小越好。因为这个耐压的FET是电子行业使用最多的FET。使用量大,价格就低,而且容易买到。更低耐压的FET内阻并不能降低太多,但购买的难度(以较低价格购买)就会大大增加。以较低价格买到正品的可能也就越低。
在国内可以买到的30V的耐压范围的N沟管子最好的是IRF7831和IRF4842。前者内阻在3-4毫欧之间(视驱动电压而定)。但极限栅压只有12V。自己设计无刷电调要注意驱动电压不能超过11V。它在国内很容易买到正品。价格也很低。一般百只价可以在2.5元-3元拿到(深圳或者北京电子市场价格)。而后者在综合指标上最好。内阻在4毫欧左右,比较小。极限栅压为20V,可以适应几乎所有的半桥驱动电路。它的最大好处是栅极电容极低,因此驱动电流较小,导通速度要比一般的低内阻FET快一倍。这样FET可以工作在更高的频率上,电调可以有更高的极限转速,电调的开关损耗也更低。同时因为需要的驱动电流较小,因此用同一半桥驱动IC,可以驱动更多的FET。我见过一款标称120A的无刷电调,一共有90只FET。全部都是IRF4842。但这款FET在国内现在还不好买到。一般要买一整盘(3000多只),整盘的单只价格在4元左右。少量购买几乎不可能。
[ Last edited by shouldbe on 2004-11-24 at 19:51 ] |
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