靠~~~~~~~~~~~成了卖零件的了~~或者推销了.
初飞菜鸟:
其实配对是很困难的事情,原因是FET制造的问题,现在为止HEXFET技术发展到了第7代了,N沟的问题不大了,但是P沟的由于栅结构问题,依然不能很好减低内阻,导致电流上不去.
如果是NP结构的半桥,本身设计也不是对称的,N沟只有4.5左右的电压,而P沟就是接近电池电压,所以配对的必要性不大,只是计算1下N/P半桥的导通内阻基本满足要求就好了.
如果是发展带专用半桥的或者是过干电压电路,那就全部用N沟的就好了,何苦去理会那些破烂P沟管. |